| 研究課題/領域番号 |
23340091
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 独立行政法人理化学研究所 |
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研究代表者 |
大野 圭司 独立行政法人理化学研究所, 河野低温物理研究室, 専任研究員 (00302802)
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| 連携研究者 |
天羽 真一 独立行政法人理化学研究所, 創発物性科学研究センター, 研究員 (90587924)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
20,670千円 (直接経費: 15,900千円、間接経費: 4,770千円)
2013年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2012年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2011年度: 17,550千円 (直接経費: 13,500千円、間接経費: 4,050千円)
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| キーワード | 半導体 / 量子ドット / スピン / 核スピン / エンタングルメント |
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| 研究概要 |
1重項スピンブロッケード領域とその周辺でのソースドレイン電流・電圧特性に核スピン偏極に起因すると思われるヒステリシスの詳細な測定および解析を行った。磁場５Tから８T程度で観測される1重項スピンブロッケードと励起スペクトルで観測される1重項・3重項基底状態遷移はよく一致している。また1重項スピンブロッケードのリーク電流は約10pA程度と通常の3重項スピンブロッケードにくらべ大きい。これはエンタングル状態である1重項状態が核スピン揺らぎの影響により比較的容易に破壊されることで説明できる。これらの結果をまとめた論文がAppl.Phys.Lett誌にて出版された。
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