| 研究課題/領域番号 |
23350091
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
機能材料・デバイス
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
夛田 博一 大阪大学, 基礎工学研究科, 教授 (40216974)
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| 研究分担者 |
川椙 義高 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 助教 (40590964)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
20,020千円 (直接経費: 15,400千円、間接経費: 4,620千円)
2013年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2012年度: 6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)
2011年度: 9,490千円 (直接経費: 7,300千円、間接経費: 2,190千円)
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| キーワード | 有機半導体 / スピントロニクス / 有機スピントロニクス / 磁気抵抗効果 / スピンバルブ / エレクトロニクス / 強磁性電極 / 界面 |
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| 研究概要 |
ポリエチレンナフタレートを基板とし、微細加工技術を用いて、強磁性金属を数百 nm 間隔でを作製し，その上に分子性導体単結晶を配置する素子を作製した。電極間隔を系統的に変化させて磁場中での抵抗変化を計測することにより，スピン拡散長 (1.1 μm) および緩和時間(3 ns)を導出した。また，キュリー温度985KのCo2MnSiホイスラー合金エピタキシャル膜を電極として用い、Co／トリフェニルジアミン膜／Co2MnSi積層型スピンバルブを作製した。素子は室温で，約７．３％の抵抗変化を示した。
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