| 研究課題/領域番号 |
23360008
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東京農工大学 |
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研究代表者 |
纐纈 明伯 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (10111626)
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| 研究分担者 |
熊谷 義直 東京農工大学, 大学院工学研究院, 教授 (20313306)
村上 尚 東京農工大学, 大学院工学研究院, 准教授 (90401455)
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| 連携研究者 |
富樫 理恵 東京農工大学, 大学院工学研究院, 助教
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
20,540千円 (直接経費: 15,800千円、間接経費: 4,740千円)
2013年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2012年度: 6,630千円 (直接経費: 5,100千円、間接経費: 1,530千円)
2011年度: 9,230千円 (直接経費: 7,100千円、間接経費: 2,130千円)
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| キーワード | 窒化ガリウム / 窒化物 / エピタキシャル成長 / 自立基板結晶 / HVPE / THVPE / 窒化物半導体 / 気相成長 / HVPE成長 / バルク結晶 / 原料分子制御 |
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| 研究概要 |
本研究では、低酸素社会の構築のためのキーマテリアルである窒化ガリウム（ＧａＮ）の高品質で低コストの新しい結晶性成長方法の確立を目指した。熱力学解析および第一原理計算により見出した新しい原料分子（三塩化ガリウム、ＧａＣｌ３）を原料に用いることにより、これまで成長することができなかった１２００℃以上の高温度下での成長に成功するとともに、毎時２００ミクロンメートル以上の高速成長が可能なことを明らかにした。
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