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Si/Geコアシェルナノワイヤへの位置制御ドーピングによる高移動度チャネルの形成

研究課題

研究課題/領域番号 23360015
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関独立行政法人物質・材料研究機構

研究代表者

深田 直樹  独立行政法人物質・材料研究機構, 研究員 (90302207)

研究期間 (年度) 2011
研究課題ステータス 完了 (2011年度)
配分額 *注記
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2011年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)

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公開日: 2011-04-06   更新日: 2016-04-21  

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