| 研究課題/領域番号 |
23360019
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
佐々木 正洋 筑波大学, 数理物質系, 教授 (80282333)
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| 研究分担者 |
山田 洋一 筑波大学, 数理物質系, 講師 (20435598)
関場 大一郎 筑波大学, 数理物質系, 講師 (20396807)
朝岡 秀人 日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究センター, 研究主幹 (40370340)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
20,670千円 (直接経費: 15,900千円、間接経費: 4,770千円)
2013年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2012年度: 6,760千円 (直接経費: 5,200千円、間接経費: 1,560千円)
2011年度: 9,490千円 (直接経費: 7,300千円、間接経費: 2,190千円)
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| キーワード | 水素吸蔵 / C_<60> / 有機半導体分子 / 電子ドープ / 超音速ヘリウム原子線散乱 / アルカリ金属 / 走査トンネル顕微鏡 / フラーレン / 有機半導体 / 電荷移動 / 吸着 / 脱離 / 超音速分子線散乱法 / 弾性反跳粒子検出法 / 中性子反射率計測 |
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| 研究概要 |
高効率実用水素吸蔵材料の実現をめざし、電子ドープ(電子が添加)されたC_<60>等の有機半導体分子の幾何的形状、電子状態、水素吸着・脱離過程を計測した。その結果、Cu(111)表面上に吸着することで電子ドープされたC_<60>分子層において、室温で水素が一部解離吸着し、150℃程度への昇温で脱離することを明らかにした。この材料が水素吸蔵材料として有望であることを示している。さらに、Ru(0001)表面に吸着したグラフェン、アルカリ金属添加芳香族半導体分子層でも水素吸蔵の可能性を検討した。
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