| 研究課題/領域番号 |
23360028
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用光学・量子光工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
近藤 高志 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (60205557)
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| 連携研究者 |
松下 智紀 東京大学, 大学院工学系研究科, 助教 (50554086)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
20,540千円 (直接経費: 15,800千円、間接経費: 4,740千円)
2013年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2012年度: 7,410千円 (直接経費: 5,700千円、間接経費: 1,710千円)
2011年度: 8,580千円 (直接経費: 6,600千円、間接経費: 1,980千円)
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| キーワード | 非線形光学 / MBE，エピタキシャル / 波長変換 / キャリア注入 / 副格子交換エピタキシー / 高性能レーザー / 導波路デバイス / 疑似位相整合 / 先端光デバイス / 半導体集積回路 / 先端機能デバイス / MBE,エピタキシャル |
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| 研究概要 |
光学的非線形性を有する半導体材料を用いたレーザー光波長変換デバイスの高性能化に取り組んだ。周期空間反転GaAs/AlGaAsを用いた疑似位相整合（QPM）導波路素子の高効率化へ向けて，素子作製条件の最適化をおこなって伝搬損失の低減を図り，これまでで最小の伝搬損失（1.3 dB/cm @ 1.55 um）を実現した。電流注入AlGaAs QPM素子について初めてシミュレーションをおこない，現実的な電流注入条件の下で正味の利得が実現できること，その結果，極めて高い変換効率が達成可能であることを明らかにした。周期反転GaAs pn接合素子を初めて作製し，その電気特性，光学特性の評価をおこなった。
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