| 研究課題/領域番号 |
23360040
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物理学一般
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
久保田 智広 東北大学, 流体科学研究所, 准教授 (70322683)
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| 研究分担者 |
寒川 誠二 東北大学, 流体科学研究所, 教授 (30323108)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
20,540千円 (直接経費: 15,800千円、間接経費: 4,740千円)
2013年度: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2012年度: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円)
2011年度: 8,970千円 (直接経費: 6,900千円、間接経費: 2,070千円)
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| キーワード | 中性粒子ビーム / エッチング形状予測 / オンウェハモニタリング / 紫外光照射損傷 / イオンシース / 第一原理計算 / ワイヤレス測定 / 欠陥生成 / 共鳴遷移 / オージェ遷移 / 紫外光スペクトル / 塩素 |
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| 研究概要 |
プラズマエッチングにおける電荷や紫外線の影響を理解するために、入射粒子の種類ごとに切り分けた検討を行った。電荷や紫外光入射がない場合（中性粒子ビーム）、ビームの角度分布によってエッチング形状が決まることが分かった。次に、荷電粒子がある場合、イオンの軌道はシース電位分布により影響されるため、シース状態を測定するためのセンサと、測定したシース状態からイオン軌道を計算により求める方法を開発した。さらに紫外光が入射する場合については、オンウェハ紫外光照射損傷センサを用いてエッチングダメージの評価を行った。電荷や励起状態が関与する表面反応シミュレーションを確立した。
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