| 研究課題/領域番号 |
23360072
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
設計工学・機械機能要素・トライボロジー
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
崔 ジュン豪 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (30392632)
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| 研究分担者 |
加藤 孝久 東京大学, 工学系研究科, 教授 (60152716)
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| 連携研究者 |
中尾 節男 産業技術総合研究所, サステナブルマテリアル研究部門, 主任研究員 (60357605)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円)
2013年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2012年度: 7,540千円 (直接経費: 5,800千円、間接経費: 1,740千円)
2011年度: 8,580千円 (直接経費: 6,600千円、間接経費: 1,980千円)
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| キーワード | DLC膜 / バイポーラＰＢＩＩ / 3次元コーティング / プラズマシミュレーション / ラマン分光分析 / バイポーラPBII / PIC-MCC / マイクロトレンチ / PBII / 3次元成膜 / PIC-MCCM / トレンチパターン / プラズマイオン注入法 / ナノコーティング / プラズマ / ナノインプリント |
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| 研究概要 |
バイポーラ PBII法により，マイクロトレンチの全面にDLC膜を作成することができたが, トレンチの各面におけるDLC膜の膜厚分布・膜構造に不均一性が生じた．トレンチの上面と底面に比べて側面のDLC膜厚は薄くなり,また,負の高電圧が大きいほどイオンが側面からの電界に追従できないためこの傾向は強くなる.トレンチの側面では，上面と底面に比べて異なるDLC膜の構造を示す．負電圧-0.5kVの場合，側面に入射されるイオンエネルギーが上面に比べ小さくなり，膜はよりPLC側に遷移する．負電圧-15kVの場合，側面のDLC膜はトレンチの底面からのスパッタリング効果による膜の堆積が支配的になることがわかった．
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