低コスト量子ドット太陽電池の早期実現を目指したシリコンインクの開発

• 研究課題/領域番号: 23360096
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 熱工学
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 野崎 智洋 東京工業大学, 理工学研究科, その他 (90283283)
• 研究期間 (年度): 2011
• 研究課題ステータス: 完了 (2011年度)
• 配分額: 8,320千円 (直接経費: 6,400千円、間接経費: 1,920千円); 2011年度: 8,320千円 (直接経費: 6,400千円、間接経費: 1,920千円)