研究課題
基盤研究(B)
本研究では,(1) 従来の回路構成,動作原理とは全く異なるマルチレベル電力変換器の新規トポロジー群を見出し,マルチレベル技術の枠組みを拡張,再構築できた。(2) 従来方式と新規トポロジー群を半導体素子数,受動素子数,電源数,絶縁ドライブ回路数,電力変換効率,実装や制御の難易度などの観点から総合的に比較評価し,それぞれの特徴を活かした応用に対する技術的基盤を提供できた。(3) 新規トポロジー群の中から,SiC-MOSFETに代表される次世代半導体素子を利用した電力変換器のあるべき姿を提示した。
すべて 2014 2013 2012 2011 その他
すべて 雑誌論文 (10件) (うち査読あり 10件) 学会発表 (68件) (うち招待講演 2件) 図書 (7件) 備考 (4件)
電気学会論文誌D(産業応用部門誌)
巻: 134 号: 6 ページ: 641-648
10.1541/ieejias.134.641
130004876806
電気学会論文誌D(産業応用部門誌)
巻: 134
巻: 133 号: 12 ページ: 1186-1192
10.1541/ieejias.133.1186
130003382839
巻: 133 号: 8 ページ: 812-820
10.1541/ieejias.133.812
130003363555
巻: 133 号: 2 ページ: 222-230
10.1541/ieejias.133.222
10031142486
IEEE Transactions on Power Electronics
巻: vol.27 号: 3 ページ: 1090-1098
10.1109/tpel.2010.2056933
巻: 132 号: 11 ページ: 1082-1083
10.1541/ieejias.132.1082
10031120162
巻: 132 号: 11 ページ: 1080-1081
10.1541/ieejias.132.1080
10031120161
巻: 132 号: 5 ページ: 598-599
10.1541/ieejias.132.598
10030606915
IET Power Electronics
巻: vol.4 号: 7 ページ: 759-766
10.1049/iet-pel.2010.0008
http://www.ipc.shizuoka.ac.jp/~ttnogut/index.html
http://www.ipc.shizuoka.ac.jp/̃ttnogut/index.html