| 研究課題/領域番号 |
23360129
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
原 真二郎 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 准教授 (50374616)
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| 研究分担者 |
本久 順一 北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 教授 (60212263)
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| 研究協力者 |
クラー ピーター・ジェンス ユストゥス・リービッヒ大学ギーセン(ドイツ), 第1実験物理研究所, 教授
エルム マティアス・トーマス ユストゥス・リービッヒ大学ギーセン(ドイツ), 第1実験物理研究所, 博士研究員
クルーク・フォン・ニーダ ハンス-アルプレヒト アウグスブルグ大学(ドイツ), 物理学部, 博士研究員
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
19,630千円 (直接経費: 15,100千円、間接経費: 4,530千円)
2013年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2012年度: 7,670千円 (直接経費: 5,900千円、間接経費: 1,770千円)
2011年度: 7,150千円 (直接経費: 5,500千円、間接経費: 1,650千円)
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| キーワード | 半導体ナノワイヤ / 強磁性体ナノ構造 / 選択成長 / スピン偏極発光素子 / ボトムアップ形成 / 複合ナノ構造 / 半導体ナノテクノロジ / スピントロニクス |
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| 研究概要 |
半導体ウェハ上でナノ構造の作製位置・サイズ制御可能とする、独自の選択形成技術を駆使し、一次元的に電子を閉じ込める垂直自立型半導体ナノワイヤ(NW)に、電子のスピン制御を可能にする強磁性体MnAsナノクラスタ(NC)を積層した複合NWを実現した。母体のNWとして種々の半導体材料を検討し、半導体NWへのスピン偏極電子･正孔の注入を可能にする縦型MnAs/InAsヘテロ接合NWを実現した。二端子デバイスプロセスを確立し、MnAs/GaAs-NWによるプロトタイプ素子の電流－電圧特性を評価した結果、複合NWがp型電導特性を示すことを明らかにした。
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