研究課題
基盤研究(B)
本研究では、超高速トランジスタを集積回路に混載する基盤技術の創成を目指し、絶縁膜上の指定された位置に単結晶Geを高品位形成して高キャリヤ移動度を発現することを目的として研究を行った。具体的には、SiGeミキシング誘起溶融成長法による高品質GOIの形成、応力印加膜を用いた歪み制御、不純物ドーピング制御等を検討し、超高速GOIトランジスタの基盤技術を開発した。
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すべて 雑誌論文 (20件) (うち査読あり 20件、 謝辞記載あり 1件) 学会発表 (8件) (うち招待講演 5件)
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