| 研究課題/領域番号 |
23360139
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 鹿児島大学 |
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研究代表者 |
寺田 教男 鹿児島大学, 理工学研究科, 教授 (20322323)
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| 研究分担者 |
奥田 哲治 鹿児島大学, 理工学研究科, 准教授 (20347082)
小原 幸三 鹿児島大学, 理工学研究科, 教授 (10094129)
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| 連携研究者 |
小原 幸三 鹿児島大学, 理工学研究科, 教授 (10094129)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
19,500千円 (直接経費: 15,000千円、間接経費: 4,500千円)
2013年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2012年度: 6,110千円 (直接経費: 4,700千円、間接経費: 1,410千円)
2011年度: 9,100千円 (直接経費: 7,000千円、間接経費: 2,100千円)
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| キーワード | 超伝導材料・素子 / 表面・界面物性 / 薄膜 / 強相関エレクトロニクス / 量子エレクトロニクス / レアアース・レス |
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| 研究概要 |
独自に見出した低成長温度・レアアースレス等の特徴を持つ(Cu, C)-1201極薄膜の超伝導発現機構を検討し、ヘテロ界面歪効果が重要なことを確定するとともに、歪みエピタキシャル成長する類縁物質を1201層の上下に挿入し両界面の格子不整合を制御することで特性向上を達成した。この積層の人為的繰り返しは単位幅当たりの臨界電流密度向上の有望な手法として位置づけられる。また、全元素同時堆積法による薄膜においても超伝導発現に成功し、実用的作成法の端緒を開くことに成功した。以上より、人工積層構造の制御により、無毒性元素・レアアースレス高温超伝導薄膜材料の創成、形成基盤技術確立という目的を達成したと考える。
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