| 研究課題/領域番号 |
23360152
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 名城大学 (2012-2013)
名古屋大学 (2011) |
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研究代表者 |
井上 真澄 名城大学, 理工学部, 教授 (00203258)
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| 連携研究者 |
赤池 宏之 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (20273287)
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| 研究期間 (年度) |
2011-11-18 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2013年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2012年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 高温超伝導体 / ナノブリッジ / 形状効果 / ラチェット / ダイオード / ヒステリシス |
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| 研究概要 |
超伝導回路用バイアス電流供給回路などへの応用を目指して，非対称高温超伝導体ナノブリッジのラチェット効果を利用した超伝導ダイオードの開発に関する研究を行った。作製プロセスの最適化を行い，単独ブリッジで臨界電流は数mA～十数mA，磁場による臨界電流変化率は9%程度のものが得られている。ブリッジ配置位置による特性の違いや，SQUID構造において見られた特性のヒステリシスは，デバイスの動作物理を検討するための有用な情報と考えられる。計算による特性解析では，膜中に設けた四角形の穴の周辺でのボルテックス挙動に場所依存性が見られ，電流分布の違いによるポテンシャル・バリアの違いによるものとして理解された。
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