| 研究課題/領域番号 |
23360153
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
岩田 聡 名古屋大学, エコトピア科学研究所, 教授 (60151742)
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| 研究分担者 |
加藤 剛志 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (50303665)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
20,150千円 (直接経費: 15,500千円、間接経費: 4,650千円)
2013年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2012年度: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2011年度: 11,310千円 (直接経費: 8,700千円、間接経費: 2,610千円)
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| キーワード | 磁気センサ / 巨大磁気抵抗効果 / スピンバルブ構造 / 磁歪現象 / 歪みセンサ / 磁化方位変調方式 / 磁壁位置変調方式 / 磁歪 / スピンバルブ膜 / 磁気異方性 / 触覚センサ / スピントンネル効果 / 磁壁移動 / 磁壁位置変調 |
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| 研究概要 |
巨大磁気抵抗効果を示すスピンバルブ膜を利用した3種類の磁気センサの開発を行った｡磁化方位変調型の磁気センサでは，磁化自由層の磁化方位をAl導線の作る交流磁界で振動させるとともに，GMR素子の出力と交流磁界の電圧波形を乗算器で掛け合わせることで，約4mOeの検出感度が得られた｡磁壁位置変調方式のセンサに関しては，磁性細線に切り欠きを設けることで，磁壁位置を固定することに成功した。歪みセンサでは，磁歪の逆効果による磁気異方性の変化を，磁化自由層の磁化方位を交流磁界で振動的に変化させたときの振幅の変化として検出することに成功した｡±5×10-4の歪みに対して，ほぼリニアな出力が得られた。
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