研究課題
基盤研究(B)
有機金属気相成長(MOCVD)法を用いてシリコン基板上AlGaN (5nm) /GaN ヘテロエピタキシャル層上に、選択的にAlGaN層(15nm)を再成長し、ノーマリオフ特性(しきい値電圧が正)を目的にしたエピ構造を作製した。選択再成長のマスクはSiO2を用い、リソグフィーとバッファードフッ酸によるエッチングを行うことで再成長領域を形成した。MOCVDにより、AlGaN層(15nm)を再成長し、アクセス領域への2DEGの形成を行った。選択再成長技術を用いて作製したトランジスタは、最大ドレイン電流160 mA/mm、しきい値電圧+0.4 Vのノーマリオフ特性を示した。
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