| 研究課題/領域番号 |
23360164
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 豊田工業大学 |
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研究代表者 |
榊 裕之 豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (90013226)
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| 研究分担者 |
大森 雅登 豊田工業大学, 大学院・工学研究科, 嘱託研究員 (70454444)
VITUSHINSK Pavel 豊田工業大学, 大学院・工学研究科, 研究補助者 (30545330)
秋山 芳広 豊田工業大学, 大学院・工学研究科, 研究補助者 (60469773)
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| 連携研究者 |
野田 武司 独立行政法人物質・材料研究機構, 環境・エネルギー材料部門 太陽光発電材料ユニット 超高効率太陽電池グループ, グループリーダー (90251462)
川津 琢也 独立行政法人物質・材料研究機構, 先端的共通技術部門 先端フォトニクス材料ユニット 量子ナノ構造グループ, 主任研究員 (00444076)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
16,770千円 (直接経費: 12,900千円、間接経費: 3,870千円)
2013年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2012年度: 5,720千円 (直接経費: 4,400千円、間接経費: 1,320千円)
2011年度: 6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)
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| キーワード | 光検出器 / 三角障壁 / 量子ドット / 量子ロッド / 分子線エピタキシー / 単一光子検出 / 光検出 / GaAs / GaSb / 光通信波長 |
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| 研究概要 |
高純度GaAs膜の中央に負に帯電したアクセプタを面状に配し、膜の上下にｎ型電極を設けると三角型障壁を持つ素子ができる。この素子の上部電極に正の電圧を加えると、障壁が下がり、電子が流れる。また、光を照射すれば、光で作られた正孔が三角障壁に蓄積し、障壁を下げるため、より低い電圧で電流が流れ、光検出器として働く。
本研究では、障壁内にGaSb量子ドットを埋め込んだ素子を分子線エピタキシー法で作り、光で生じた正孔がドットに捕縛されて障壁を局所的に下げるため、光検出感度が格段に高まることを示した。また、電極間にInGaAs系ナノ細線を埋め込んだ素子では、感度がさらに高まることも見出した。
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