研究課題/領域番号 |
23360290
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
無機材料・物性
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研究機関 | 熊本大学 |
研究代表者 |
松田 元秀 熊本大学, 自然科学研究科, 教授 (80222305)
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研究分担者 |
打越 哲郎 (独)物質材料研究機構, 先端材料プロセスユニット, グループリーダ (90354216)
鈴木 達 (独)物質材料研究機構, 微粒子プロセスグループ, 主席研究員 (50267407)
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研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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配分額 *注記 |
18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円)
2013年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2012年度: 8,320千円 (直接経費: 6,400千円、間接経費: 1,920千円)
2011年度: 7,800千円 (直接経費: 6,000千円、間接経費: 1,800千円)
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キーワード | ゼオライト / 磁場配向 / 配向膜 / 配向 / 磁場印加プロセス / ガス分離 |
研究概要 |
本研究では、結晶磁気異方性を利用して、b軸に沿って0.26 × 0.57 nm、c軸に沿って0.67 × 0.70 nmの細孔を有するモルデナイトと、c軸に沿って0.71 × 0.71 nmの一次元細孔を有するL型ゼオライトの磁場配向挙動を初めて明らかにし、静磁場印加プロセスによってb軸が優先的に配向したモルデナイトおよびc軸が優先的に配向したL型ゼオライト配向体の作製に成功した。さらに、組成制御が施された反応溶液中での水熱処理によって配向体が配向状態を維持しながら緻密化することを明らかにした。
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