| 研究課題/領域番号 |
23360297
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
構造・機能材料
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
須藤 祐司 東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (80375196)
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| 連携研究者 |
小池 淳一 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 教授 (10261588)
小林 啓介 高知工科大学, 総合研究所, 客員教授 (50372149)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
19,240千円 (直接経費: 14,800千円、間接経費: 4,440千円)
2013年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2012年度: 5,720千円 (直接経費: 4,400千円、間接経費: 1,320千円)
2011年度: 11,180千円 (直接経費: 8,600千円、間接経費: 2,580千円)
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| キーワード | 相変化メモリ / 不揮発性メモリ / アモルファス / 結晶化 / 半導体メモリ / 反射率 / 密度 / 電気抵抗 / 電子状態 / 結晶化速度 / 結晶成長 |
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| 研究概要 |
次世代不揮発性メモリとして、ｱﾓﾙﾌｧｽ/結晶間の電気抵抗差を利用した相変化メモリ（PCRAM）が注目されている。本研究では、新しいタイプの相変化材料として、Ge-Cu-Te化合物を提案しその相変化挙動およびそのメモリ性能について調査した。その結果、GeCu2Te3化合物は、従来材とは全く異なる相変化挙動を示す事を明らかにした。更に、GeCu2Te3は、低融点、高結晶化温度、高速相変化を示すため、低消費電力、長期データ保持性(耐熱性)、高速書換え動作を可能とするPCRAM用材料として非常に有望である事が分かった。
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