シリコン上縦型発光素子を目指した導電性バッファ層上窒化物薄膜の高品質化

• 研究課題/領域番号: 23360320
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 材料加工・処理
• 研究機関: 北陸先端科学技術大学院大学
• 研究代表者: 高村 由起子 (山田 由起子) 北陸先端科学技術大学院大学, マテリアルサイエンス研究科, 講師 (90344720)
• 研究期間 (年度): 2011
• 研究課題ステータス: 完了 (2011年度)
• 配分額: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円); 2011年度: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円)