研究課題
基盤研究(B)
キセノンランプを加熱光源とした赤外線集中加熱炉を用いた浮遊帯溶融法によりPr添加Lu3Al5O12(PrLuAG)結晶の育成を行った。加熱光源をハロゲンランプから変更することで育成結晶の長尺化に成功した。育成結晶のシンチレターとしての光学特性はハロゲンランプを光源として育成した結晶や量産法のCZ法で育成した結晶と同等であったことに加えて育成結晶の結晶性は同等以上であった。ただ、育成結晶にはクラックが多数見られたことから、その抑制が必要であることがわかった。
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