| 研究課題/領域番号 |
23540361
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 千葉大学 |
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研究代表者 |
中山 隆史 千葉大学, 理学(系)研究科(研究院), 教授 (70189075)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2013年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2012年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2011年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | 金属／半導体界面 / 第一原理計算 / 原子拡散 / 混晶化 / 構造安定性 / 界面欠陥 / 金属誘起ギャップ状態 / 有機半導体 / 金属/半導体界面 / 混晶過程 / 有機分子半導体 / 偏析界面層 / 電場下イオン化 / 界面制御 / 化合物化 / 有機分子固体 / 巨大歪環境 / 電場環境 / 金属クラスター / シリサイド / ショットキーバリア / イオン結合 / 共有結合 |
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| 研究概要 |
本研究では、量子力学に基づく大型数値計算を用いて、金属／無機・有機半導体界面における原子拡散と界面構造の安定性を調べた。その結果、原子拡散を引き起こす機動力は何か、界面の混晶・化合物化を支配する因子は何か、拡散した原子がつくる界面欠陥はショットキーバリアをどのように変化させるかを明らかにした。さらに、界面構造の安定性とショットキーバリアの発生起源を結びつける新しい理論を構築した。
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