| 研究課題/領域番号 |
23540366
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
金崎 順一 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (80204535)
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| 研究分担者 |
田中 慎一郎 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (00227141)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2013年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2012年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2011年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | 半導体 / キャリア動力学 / 時間分解光電子分光 / 正孔 / 励起電子 / フェムト秒レーザー / 超高速現象 / 角度分解フェムト秒２光子光電子分光 / 非平衡キャリア / 多体効果 / フェルミ縮退 / 電子・フォノン散乱 / グラファイト |
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| 研究概要 |
代表的な半導体について、光励起により生成された非平衡励起キャリア（伝導帯励起電子及び価電子帯正孔）のエネルギー・波数べクトル空間における密度分布の時間発展をフェムト秒時間分解光電子分光法により測定し、キャリア緩和過程の特徴とそれを支配する散乱素過程を明らかにした。伝導帯非平衡励起電子系については、intervalley散乱効率及び準平衡・平衡分布に至る熱化時間を直接的に決定した。さらに、１光子光電子差分分光の手法を新たに開発し、価電子帯における正孔の緩和過程の観察に初めて成功した。これにより、シリコンにおける価電子正孔系の超高速緩和過程とバルク・表面状態間の散乱過程等について直接的知見を得た。
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