| 研究課題/領域番号 |
23540372
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 福岡大学 (2013-2014)
九州大学 (2011-2012) |
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研究代表者 |
栃原 浩 福岡大学, 工学部, 研究員 (80080472)
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| 研究分担者 |
白澤 徹郎 東京大学, 物性研究所, 助教 (80451889)
水野 清義 九州大学, 総合理工学研究院, 教授 (60229705)
小森 文夫 東京大学, 物性研究所, 教授 (60170388)
鈴木 孝将 福岡大学, 工学部, 教授 (10580178)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-28 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2013年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2012年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2011年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | シリコン酸化物 / 超薄膜 / シリコンカーバイド / エピタキシャル単分子層 / 走査トンネル顕微鏡 / バンドギャップ / 酸化シリコン超薄膜 / エピタキシー / 半導体／絶縁体接合 / エピタキシャル超薄膜 / MOS構造 / 結晶性超薄膜 / エピタキシャル成長膜 / 金属／絶縁物接合 / 半導体／絶縁物接合 / 表面新物質 |
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| 研究成果の概要 |
SiC面とMo面に形成する同一性エピタキシャル酸化シリコン単分子膜の構造とバンドギャップに関する研究である。走査トンネル顕微鏡(STM)で観察したところ、酸化シリコン単分子膜の上にSiO2ナノ粒子が、SiCとMoどちらの表面にも完全に覆っていた。SiC面の場合、適切な加熱温度でナノ粒子だけを取り除くことができ，酸化シリコン単分子膜の原子配列をSTMで観測できた．ポイントトンネル分光により、そのバンドギャップが5.5±0.5 eVであり、バルクの酸化シリコンの8.9 eVよりも大幅に小さいことを見出した．Moではナノ粒子を取り除けず，SiCとの比較はできなかった．
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