| 研究課題/領域番号 |
23540377
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 日本女子大学 |
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研究代表者 |
島田 良子 日本女子大学, 理学部, 准教授 (90346049)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2013年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2012年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2011年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | マイクロキャビティ / コヒーレントフォノン / キャビティポラリトン |
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| 研究概要 |
本研究では、ZnO とGaN をベースとしたハイブリッドマイクロキャビティの作製方法を確立した。特に、3種の結晶成長法 (MOCVD, MBE, UHCVD法) の組み合わせでクラックのない ZnO/GaNマイクロキャビティを作製できること、GaNマイクロキャビティは、MOCVD法による結晶の横方向への優先成長で良質なキャビティ層の成長ができることを見出した。さらに、反射や光ルミネッセンスのような光学特性評価を通じて、マイクロキャビティによるコヒーレントフォノンとキャビティポラリトンの相互作用の解明も試みたが、コヒーレントフォノンの生成にいたらなかった。今後も検討を継続する予定である。
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