| 研究課題/領域番号 |
23540379
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 早稲田大学 |
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研究代表者 |
上江洲 由晃 早稲田大学, 理工学術院, 名誉教授 (10063744)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2013年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2012年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2011年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
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| キーワード | 強誘電体 / マルチフェロ物質 / 強弾性体 / SHG顕微鏡 / 薄膜 / 希土類フェライト / 錫ペロブスカイト酸化物 / チタン酸カルシウム / ドメイン / ドメイン境界 / 国際情報交流、フランス / 国際情報交流、イギリス / 国際情報交流、アメリカ |
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| 研究概要 |
本研究のもとで次の３つの主要な成果をあげる事ができた。（１）PLD法でイッテルビウムフェライトのエピタキシャル薄膜を作成し、それがマルチフェロイック特性を示す事を初めて明らかにした。この結果はJ.Phys.Soc.Jpn.誌に掲載された(2012)。（２）PLD法で２価の錫を含むペロブスカイト酸化物を作成することに成功し、その強誘電特性をSHG顕微鏡、誘電率測定、TEM，ピエゾ走査顕微鏡で明らかにした。（３）非極性であるチタン酸カルシウムの強弾性ツイン境界が極性を示す事をSHG顕微鏡による３次元非破壊観察により初めて明らかにした。この結果はPhy.Rev.B誌に掲載された(2014)。
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