| 研究課題/領域番号 |
23540410
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 岡山大学 |
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研究代表者 |
村岡 祐治 岡山大学, 自然科学研究科, 准教授 (10323635)
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| 連携研究者 |
横谷 尚睦 岡山大学, 大学院・自然科学研究科, 教授 (90311646)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2013年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2012年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2011年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | 強相関系 / 界面 / VO2薄膜 / 軟X線照射 / 絶縁体金属転移 / TaO2 / 放射光照射 / 金属酸化物 / 光キャリア注入 / VO2 / 薄膜 / 放射光 |
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| 研究概要 |
研究成果の概要（和文）：遷移金属酸化物薄膜への光キャリア注入および対象薄膜の電子状態の研究を行った。軟X線照射によって生じるVO2薄膜の絶縁体-金属転移では、V3dへの電子キャリア注入を見出し、酸素脱離による金属化という転移モデルを提案した。VO2薄膜のARPESにより表面の金属相フェルミ面マッピングに成功し、ネスティングの存在を示した。密封系CVD法により作製したCrO2薄膜では、再表面近傍まで金属的であることを明らかにした。単一相TaO2薄膜やスピノーダル分解した(V,Ti)O2薄膜などの物質開発にも成功した。
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