| 研究課題/領域番号 |
23540429
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
竹端 寛治 独立行政法人物質・材料研究機構, 表界面構造・物性ユニット, 主幹研究員 (50354361)
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| 連携研究者 |
高増 正 物質・材料研究機構, 表界面構造・物性ユニット, グループリーダー (60212015)
今中 康貴 物質・材料研究機構, 表界面構造・物性ユニット, グループリーダー (70354371)
三井 正 物質・材料研究機構, 表界面構造・物性ユニット, 主任研究員 (90343863)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2013年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2012年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2011年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 分子性固体・有機導体 / グラフェン / サイクロトロン共鳴 / 強磁場 / 磁気光学分光測定 / サイクロトロン共鳴測定 |
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| 研究概要 |
CVD法により合成された大面積単層グラフェンについてサイクロトロン共鳴に関する研究を行った。その結果、グラフェンのバンド速度は支持基板により大きく異なることを見出した。この結果はこれまでの多体効果を考慮した理論では説明できず、基板との相関に起因するグラフェンの歪みや基板との接着などに起因する可能性がある。また、最低ランダウ準位間遷移0→+1の吸収線は2成分からなり磁場とともに吸収強度比が変化する振る舞いが観測された。
既存の強磁場中分光装置の改良に関しては検出器部分をサンプル直下に設置するための検出器ユニットを製作し、低温強磁場中での動作確認を行い、１５Tまでの磁場中で遠赤外光検出に成功した。
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