研究課題/領域番号 |
23550124
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
合成化学
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研究機関 | 岩手大学 (2012-2013) 岡山大学 (2011) |
研究代表者 |
是永 敏伸 岩手大学, 工学部, 准教授 (70335579)
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研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2013年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2012年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2011年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
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キーワード | ホスフィン配位子 / フッ素 / 電子不足な配位子 / 金属錯体触媒 / 高活性化 / ホスフィン / 配位子 / 高活性触媒 / パラジウム / ロジウム / クロスカップリング / 不斉触媒 / 電子不足配位子 / 触媒活性 / 電子不足 / 1,2-付加反応 / 不斉アリール化 / 不斉配位子 |
研究概要 |
三級ホスフィンは均一系金属錯体触媒の配位子として最も広く用いられており、その電子的性質や嵩高さにより金属錯体触媒の触媒活性や立体選択性が制御されている。その一環として、高度に電子不足でありながら嵩高高くないため金属に配位しやすい、BFPyホスフィンと呼ばれる新型配位子を開発した。この配位子は、市販されている高度に電子不足なC6F5基を有する配位子を凌駕する性能を示し、極めて高い触媒活性を有する触媒を現実の物とした。
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