| 研究課題/領域番号 |
23550139
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
高分子化学
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| 研究機関 | 早稲田大学 |
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研究代表者 |
須賀 健雄 早稲田大学, 高等研究所, 助教 (10409659)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2013年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2012年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2011年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | ミクロ相分離 / ブロック共重合体 / ラジカル / イオン液体 / 精密重合 / 有機メモリ / 走査プローブ顕微鏡 / クリック反応 / 国際研究者交流 ドイツ / 自己組織化 / 国際研究者交流 アメリカ |
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| 研究概要 |
有機ラジカルの迅速かつ安定な「電荷授受」能と、イオン液体の「電荷補償」能に着眼し、(a)精密重合によるブロック共重合体の合成、および(b)イオン液体をキャリアとした機能分子の自己集積化、の2つの手法でミクロ相分離した高分子薄膜に機能部位を精密に配置、組み込むことに成功した。特にミクロ相分離構造(モルフォロジー、配向性)、ラジカル／イオン部位の配置とメモリ特性(一回or繰り返し書込み可)との相関を明らかにするとともに、On/Offスイッチングの発現機構を探るべく、走査プローブ顕微鏡を用いた局所的な印加電圧による表面電位およびI-V特性変化からドメイン内の電荷注入・輸送過程について描像した。
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