| 研究課題/領域番号 |
23550205
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
機能材料・デバイス
|
|---|
| 研究機関 | 静岡大学 |
|---|
研究代表者 |
小林 健吉郎 静岡大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (20153603)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
|
| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2013年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2012年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2011年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
|
|---|
| キーワード | 非晶質 / ｐｎ制御 / 非晶質InGaZnO4 / p型 / 非晶質酸化物 / クラスタードーピング / ドーピング |
|---|
| 研究概要 |
本研究はAl-NクラスターをInGaZnO4にドープすることによりｐ型InGaZnO4を得ることを目的としている。InGaZnO4とAlNの混合紛体をターゲットとし、スパッタリング法により薄膜を作製した。高真空2x10-3 Torrではｐ型薄膜は得られなかった。これに対して低い真空2x10-2 Torrでは、7% AlNターゲットで0.6% O2では500 MΩの抵抗を示すｐ型InGaZnO4薄膜が得られた。このp型InGaZnO4薄膜の抵抗率210Ωcm、正孔の濃度7.5×1017 cm-3 易動度0.4 cm2/Vsを得た。InGaZnO4のpｎ接合は明確な整流特性を示した。
|
