研究課題
基盤研究(C)
窒化ガリウム（GaN）結晶の表層のドナー原子が不活性化する現象の基礎物理を明らかにすることを目的として、プラズマ発光に着目して研究を進めた。光の影響は欠陥の導入過程ではなく拡散過程において顕著である。また、ドナーを不活性化している欠陥の増速拡散には電子-正孔対の発生・再結合が関係している。一方、アニールによってドナーは再活性化されるが，それには関与欠陥の電子励起に伴う荷電状態変化が重要である。
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Thin Solid Films
巻: 557 ページ: 212-215
10.1016/j.tsf.2013.10.086
Jpn. J. Appl. Phys.
巻: vol.52 号: 8R ページ: 88001-88003
10.7567/jjap.52.088001
210000142582
