| 研究課題/領域番号 |
23560012
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 大阪府立大学 |
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研究代表者 |
河村 裕一 大阪府立大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (80275289)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2013年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2012年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2011年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | 分子線結晶成長 / 化合物半導体 / 量子井戸 / 赤外デバイス / ＭＢＥ / アンチモン / 窒素 / 中赤外デバイス / 赤外光デバイス / 量子ナノ構造 / エピタキシー / InGaAsN / GaAsSb / InAsSbN |
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| 研究概要 |
微量窒素を導入したナノ構造化合物半導体を用いた中赤外用光デバイスの開発を行った。具体的にはInP基板をベースとした波長２μｍ帯のInAsSbN歪量子井戸レーザーと同じくInP基板をベースとした波長２μｍ帯の光源・光検出器として有用なInGaAsN/GaAsSbタイプII量子井戸光デバイスを作製を行った。前者に関しては量子井戸幅３ｎｍの歪量子井戸レーザーを分子線成長法（ＭＢＥ）で作製し、２２０Ｋで波長2.36μｍのレーザー発振を実現することが出来た。また後者に関しては窒素導入量１％の組成において室温での発光波長2,86μｍのエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）を観測することに成功した。
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