| 研究課題/領域番号 |
23560013
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東海大学 |
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研究代表者 |
沖村 邦雄 東海大学, 工学部, 教授 (00194473)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2013年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2012年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2011年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
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| キーワード | 相転移酸化物 / バナジウム酸化物 / 絶縁体金属転移 / マグネリ相 / 結晶成長 / 薄膜堆積 / 相共存 / アニール効果 / 酸化バナジウム薄膜 / 相転移 / 電気的特性 / 結晶変態 / 国際情報交流 / フランス / アメリカ |
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| 研究概要 |
本研究は68℃付近で4桁に及ぶ抵抗変化を伴う絶縁体－金属相転移(IMT)を発現する二酸化バナジウム(VO2)薄膜と共に，VO2組成とは酸化度の異なる結晶薄膜の成長と電気伝導特性に関するものである．サファイア基板及びシリコン基板を用いて，酸素流量の精密な制御によってV2O3からV2O5に至る幅広い酸化度の薄膜成長を実現した．また，低酸化度のV2O3薄膜のポストアニール処理によってVnO2n-1組成のマグネリ相及びVnO2n+1組成の結晶相へと結晶変態することが判明した．酸化度の異なる異相の相共存がVO2薄膜の電気的特性に強く影響しており，その影響を考慮したデバイス設計が重要となることを示した．
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