| 研究課題/領域番号 |
23560015
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 名城大学 |
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研究代表者 |
竹内 哲也 名城大学, 理工学部, 准教授 (10583817)
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| 研究協力者 |
上山 智 名城大学, 理工学部, 教授 (10340291)
岩谷 素顕 名城大学, 理工学部, 准教授 (40367735)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2013年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2012年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2011年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | ワイドギャップ半導体 / 窒化物半導体 / トンネル接合 / 低抵抗化 / 水素脱理 / 電流狭窄 / Mg偏析 / メモリー効果 / 水素脱離 |
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| 研究概要 |
本研究の目的は、ワイドギャップ半導体、特に赤外から深紫外までをカバーする究極の発光受光材料である窒化物半導体の新規電流注入構造の実現である。ワイドギャップ半導体では、低抵抗p層の実現が困難であり、紫外領域での発光受光素子の実現が遅れている。本研究では、極低抵抗トンネル接合を実現し、現状高抵抗であるp層の大部分を低抵抗n層に置き換えることで、これまでにない新規発光受光素子を実現した。高In組成GaInNトンネル接合によりその抵抗は従来よりも一桁低下し、それを利用した新規素子として電流狭窄型微小LED、マイクロディスプレイ、そしてタンデム型太陽電池を実証し、新しい電流注入構造を確立した。
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