| 研究課題/領域番号 |
23560021
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京学芸大学 (2013)
東京大学 (2011-2012) |
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研究代表者 |
松本 益明 東京学芸大学, 教育学部, 准教授 (40251459)
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| 連携研究者 |
岡野 達雄 東京大学, 生産技術研究所, 名誉教授 (60011219)
福谷 克之 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (10228900)
日比野 浩樹 日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所機能物質科学研究部, 主幹研究員 (60393740)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2013年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2012年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2011年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
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| キーワード | 薄膜 / 表面構造 / 低速電子回折法 / 低速電子顕微鏡法 / 動力学的解析 / 鉄シリサイド / 低速電子顕微鏡 |
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| 研究概要 |
高い空間分解能を有する低速電子顕微鏡を用いてシリコン(111)表面上の鉄シリサイドナノアイランド島成長初期過程を研究した．島の成長過程をリアルタイムで観察し，成長の主要段階において，異なる構造を持つ島について，低速電子回折強度の入射電子エネルギー依存性を測定し，表面構造解析をおこなった．
市販の装置には制限があるものの，実用的な空間分解能は，制限視野法で1 μm，顕微鏡像からの強度抽出の場合で 50 nm程度であった，0から100 eVの入射電子エネルギー範囲で，0次に加えて1/2次の回折点を利用し，通常のLEEDでは不可能な微小領域の構造解析が可能であった．
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