| 研究課題/領域番号 |
23560034
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 公益財団法人佐賀県地域産業支援センター九州シンクロトロン光研究センター |
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研究代表者 |
小林 英一 公益財団法人佐賀県地域産業支援センター九州シンクロトロン光研究センター, ビームライングループ, 主任研究員 (80319376)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2013年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2012年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2011年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
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| キーワード | 軟X線吸収分光 / 絶縁体 / 欠陥 / 軟Ｘ線吸収分光 / 表面 |
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| 研究概要 |
軟X線吸収分光法を用いて，酸化マグネシウムの欠陥について研究した．アルゴンスパッタにより欠陥を生成した酸化マグネシウム薄膜のO K吸収端の軟X線吸収スペクトルは，表面にアモルファス層が形成されるためスパッタ前よりもブロードになることがわかった．また，粉末試料のスペクトルのピーク強度が水素雰囲気中の加熱温度で変化した。これは水素還元により酸素欠陥が生成し，その欠陥の量は温度に依存することを示している．次に酸化マグネシムに電圧を印加させながら軟X線吸収スペクトルを測定し,絶縁破壊が起こる付近の電圧でスペクトルが変化することがわかった．
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