| 研究課題/領域番号 |
23560043
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用光学・量子光工学
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| 研究機関 | 立命館大学 |
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研究代表者 |
笠原 健一 立命館大学, 理工学部, 教授 (70367994)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2013年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2012年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2011年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | 量子カスケードレーザ / 光アンテナ / 中赤外 / 近接場 / ラマン分光 / 量子カスケード・レーザ / 強度雑音 / 戻り光誘起雑音 |
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| 研究概要 |
中赤外InGaAs/InAlAs DFB-QCレーザの戻り光に伴う強度雑音と戻り光量との関係を定量的に明らかにした。光アンテナ・プローブでは前段階となる中赤外光アンテナの設計・製作を行った。光アンテナが基板に垂直方向に作り出す電界増強の様子はFDTD計算では解析できるが実際に測定した例はなかった。光アンテナの基板上に原子層成長法（ALD）を使ってSi基板上にAl2O3を数nmのオーダーで形成し、Si基板の自然酸化膜やAl2O3から生ずるレストラーレン反射を観測することで電界増強の垂直方向の分布を実験的に求めることができた。得られた知見は高速・高感度な中赤外光検出素子の実現にも有効である。
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