| 研究課題/領域番号 |
23560045
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用光学・量子光工学
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| 研究機関 | 石川工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
佐野 陽之 石川工業高等専門学校, その他部局等, 教授 (80250843)
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| 連携研究者 |
桑原 正史 独立行政法人産業技術総合研究所, 光技術研究部門, 主任研究員 (60356954)
島 隆之 独立行政法人産業技術総合研究所, 光技術研究部門, 主任研究員 (10371048)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-28 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2014年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2013年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2012年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2011年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 光メモリ / 超解像 / シミュレーション / 第一原理計算 / 誘電率 / 光記録 / 光学誘電率 / 連成物理シミュレーション / 連成シミュレーション / 国際情報交流 / オーストリア |
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| 研究成果の概要 |
光ディスク内の光と熱の伝わりを同時にシミュレーションするシステムを開発した。そしてシミュレーションによって、超解像効果（光を細く絞ったときの限界値より小さい記録マークを読める現象）の仕組みを明らかにし、この超解像効果に最適な条件（入射光強度、ディスク回転速度、機能層膜厚など）を見つけた。また、超解像効果の元となる材料（InSbなど）が光照射で溶ける時の変化を計算によって調べ、材料の性質が半導体的から金属的に変化することが分かった。
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