| 研究課題/領域番号 |
23560067
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
工学基礎
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
金子 豊 京都大学, 情報学研究科, 助教 (00169583)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2013年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2012年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2011年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
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| キーワード | シリコン貫通電極 / 動的モンテカルロ法 / 空孔 / 添加剤 / パルスめっき / 攪拌 / モンテカルロシミュレーション / 電気化学 / めっき |
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| 研究概要 |
本研究では、電子機器の小型化を可能にするLSIチップの３次元積層の接続手段であるシリコン貫通電極（TSV）作成の最適条件を、動的モンテカルロシミュレーションにより研究した。問題は、高アスペクト比の孔（TSV）を空孔を生じることなくいかに充填するかである。硫酸銅めっきに４種類の添加剤を加え、パルス電流など様々な電析条件を変えてシミュレーションを行い、結果を検討した。
その結果、添加剤濃度や電流波形などの最適条件を求めるとともに、TSV埋め込みのメカニズムについて多くの知見を得た。この成果は、実験結果によく対応し、TSV作成技術に大いに貢献すると期待できる。
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