| 研究課題/領域番号 |
23560123
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
生産工学・加工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
打越 純一 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 招へい教員 (90273581)
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| 研究分担者 |
森田 瑞穂 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (50157905)
川合 健太郎 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (90514464)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,720千円 (直接経費: 4,400千円、間接経費: 1,320千円)
2013年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2012年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2011年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
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| キーワード | フッ素化剤 / Ｎ－フルオロピリジニウム塩 / 光エッチング / 光転写 / シリコン / 3次元形状 / 半導体表面 / 形状創成 / N-フルオロピリジニウム塩 / エッチング / フォトエッチング / 創成加工 / 修正加工 |
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| 研究概要 |
本研究ではフッ素化剤を用いた新しい光エッチング法を提案した。シリコン表面にフッ素化剤のN-フルオロピリジニウム塩を塗布し、シリコンのバンドギャップより高いエネルギーの光を照射すると、塩のN-F結合が光励起された電子を受け取って壊れ、F活性種を放出してシリコンと反応し、SiF4を生成して乖離することで、シリコンが選択的にエッチングされる。
エッチング速度は光強度や光照射時間や温度に依存しており、これらの条件を制御することで一度の光照射でステップ形状や球面形状の作製を行うことができた。
シリコン平面の絶対平面度を、近赤外干渉計を用いた三面合わせ法に基づく三交点法により測定した。
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