| 研究課題/領域番号 |
23560143
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
生産工学・加工学
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| 研究機関 | 関西大学 |
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研究代表者 |
山口 智実 関西大学, システム理工学部, 教授 (10268310)
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| 研究分担者 |
島田 尚一 大阪電気通信大学, 工学部, 教授 (20029317)
古城 直道 関西大学, システム理工学部, 助教 (80511716)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2013年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2012年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2011年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
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| キーワード | 超精密加工 / 超仕上 / 平滑加工 / メカノケミカル / ダイヤモンド / 複合砥粒砥石 / サファイア / シリコン / 超砥粒砥石 / 硫酸バリウム / コロイダルシリカ / 酸化セリウム |
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| 研究概要 |
先の研究において，力学的除去を行う硬質砥粒と化学的除去を行うメカノケミカル(MC)砥粒とを一緒に固定した複合砥粒砥石を開発し，軸受鋼表面の超仕上において，硬質砥粒砥石に比べ潜在痕および残留応力が低減されることを明らかにした．
本研究では，この複合砥粒砥石およびMC砥粒の単独砥石を用いた超仕上で，単結晶シリコン，および，近年基板材料として注目されているサファイアの超平滑加工を行い，単結晶シリコンでおよそ3分，サファイアで約15分という短時間で，従来のラッピングと同等の仕上げ面粗さを得ることができた．また，先の研究において達成できなかった複合砥粒砥石の作業面トポグラフィモデルの構築を行った．
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