| 研究課題/領域番号 |
23560353
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 北見工業大学 |
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研究代表者 |
野矢 厚 北見工業大学, 工学部, 教授 (60133807)
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| 研究分担者 |
武山 真弓 (武山 眞弓) 北見工業大学, 工学部, 准教授 (80236512)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2013年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2012年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2011年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | 電気・電子材料 / シリサイド / NiSi / NiSi2 / 低温形成 / Niシリサイド / Ni結晶粒 / 界面平坦性 / 結晶粒成長 |
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| 研究概要 |
広い温度範囲（350~750℃）で相安定なNiSiの結晶粒径を小さくして、形成されるシリサイド／Si界面の平坦化を検討した。Si基板にスパッタ堆積するNiの粒径成長を抑えて、適度に反応が起こるような基板温度と、その後の熱処理温度が結晶粒径制御に重要であった。温度の設定によっては、高温相NiSi2の低温成長が起こり、界面の平坦性を損なう現象が見られた。この要因は、加熱Si基板へのNi堆積により、アモルファス拡散層が形成され、Si-richな組成領域から高温相が凝縮するものと推察された。この確認のために、薄い酸化層を残したSi基板で、Ni拡散を抑制することにより、NiSi2の低温形成を確認した。
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