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高効率光デバイスの実現に向けた低欠陥量子ドットの特性解明に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号 23560354
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関弘前大学

研究代表者

岡本 浩  弘前大学, 理工学研究科, 教授 (00513342)

連携研究者 俵 毅彦  NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主任研究員 (40393798)
研究期間 (年度) 2011 – 2013
研究課題ステータス 完了 (2013年度)
配分額 *注記
3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
2013年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2012年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2011年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
キーワード量子ドット / サーファクタント / DLTS / DLTS法
研究概要

量子ドットは各種半導体デバイスの性能を画期的に向上させる可能性がある。これまでに研究代表者らは独自開発技術であるBiサーファクタント成長により、優れた光学特性を有するIn(Ga)As量子ドットが得られることを報告してきた。本研究ではこれらの特性が得られるメカニズムの解明に向け、DLTS法(Deep Level Transient Spectroscopy)を主体とした評価を行った。その結果、量子ドット特有の捕獲キャリアの放出による信号の観察に成功するとともに、上記量子ドット試料中には点欠陥や転位等に起因するトラップが非常に少ないことが確認できた。

報告書

(4件)
  • 2013 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2012 実施状況報告書
  • 2011 実施状況報告書
  • 研究成果

    (24件)

すべて 2014 2013 2012 2011 その他

すべて 雑誌論文 (5件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (18件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] Deep level transient spectroscopy characterization of In(Ga)As-quantum dots fabricated using Bi as a surfactant2014

    • 著者名/発表者名
      H. Okamoto, S. Suzuki, H. Narita, T. Tawara, K. Tateno, and H. Gotoh
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: vol. 53 号: 6S ページ: 06JG11-06JG11

    • DOI

      10.7567/jjap.53.06jg11

    • NAID

      210000144119

    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [雑誌論文] Deep level transient spectroscopy (DLTS) characterization of In(Ga)As-quantum dots fabricated using Bi as a surfactant2014

    • 著者名/発表者名
      H. Okamoto, S. Suzuki, H. Narita, T. Tawara, K. Tateno, and H. Gotoh
    • 雑誌名

      Japanese Journal of applied physics

      巻: 未定

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] ECRプラズマ法によって作製したGe-MIS構造における界面近傍トラップのDLTS評価2013

    • 著者名/発表者名
      岡本浩, 成田英史, 佐藤真哉, 岩崎拓郎, 小野俊郎, 王谷洋平, 福田幸夫
    • 雑誌名

      電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌)

      巻: 133 号: 8 ページ: 1481-1484

    • DOI

      10.1541/ieejeiss.133.1481

    • NAID

      10031189039

    • ISSN
      0385-4221, 1348-8155
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [雑誌論文] ECRプラズマ法によって作製したGe-MIS構造における界面近傍トラップのDLTS評価2013

    • 著者名/発表者名
      岡本浩、成田英史、佐藤真哉、岩崎拓郎、小野俊郎、王谷洋平、福田幸夫
    • 雑誌名

      電気学会論文誌C

      巻: Vol. 133

    • NAID

      10031189039

    • 関連する報告書
      2012 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Distinctive Feature of Ripening During Growth Interruption of InGaAs Quantum Dot Epitaxy Using Bi as a Surfactant2011

    • 著者名/発表者名
      H. Okamoto, T. Tawara, T. Tateno, H. Gotoh, H. Kamada, and T. Sogawa
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: vol. 50 号: 6S ページ: 06GH07-06GH07

    • DOI

      10.1143/jjap.50.06gh07

    • NAID

      210000070725

    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書 2011 実施状況報告書
  • [学会発表] Biサーファクタントを用いたGeナノドットの低温形成2014

    • 著者名/発表者名
      岡本浩, 林一稀, 小林弓華, 俵毅彦, 舘野功太, 章国強, 後藤秀樹
    • 学会等名
      第60回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学(18p-F6-7)
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [学会発表] ALD法によるAlジャーマネイト絶縁層を用いたGe-MIS構造における界面近傍トラップのDLTS評価2014

    • 著者名/発表者名
      成田英史, 福田幸夫, 王谷洋平, 梁池昂生, 花田毅広, 石崎博基, 岡本浩
    • 学会等名
      第60回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学(19p-PG2-6)
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [学会発表] Biサーファクタントを用いたGeナノドットの低温形成2014

    • 著者名/発表者名
      岡本浩、林一稀、小林弓華、俵毅彦、舘野功太、章国強、後藤秀樹
    • 学会等名
      第60回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] ALD法によるAlジャーマネイト絶縁層を用いたGe-MIS構造における界面近傍トラップのDLTS評価2014

    • 著者名/発表者名
      成田 英史,福田 幸夫,王谷 洋平,梁池 昂生, 花田 毅広, 石崎 博基,岡本 浩
    • 学会等名
      第60回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] Biサーファクタントを用いたIn(Ga)As量子ドットのDLTS評価2013

    • 著者名/発表者名
      鈴木聡一郎, 岡本浩, 舘野功太, 俵毅彦, 後藤秀樹, 寒川哲臣
    • 学会等名
      第60回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(29a-PB7-4)
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [学会発表] DLTS法によるECRプラズマ法GeNx/Geの界面近傍トラップに対する熱処理効果の評価II2013

    • 著者名/発表者名
      成田英史, 岩崎拓郎, 福田幸夫, 王谷洋平, 小野俊郎, 岡本浩
    • 学会等名
      第74回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学(18p-P9-6)
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [学会発表] DLTS Characterization of In(Ga)As-quantum DotsFabricated using Bi as a Surfactant2013

    • 著者名/発表者名
      H. Okamoto, S. Suzuki, H. Narita, T. Tawara, K. Tateno, and H.Gotoh
    • 学会等名
      26th Int. Microprocesses and Nanotechnology Conf. (MNC 2013)
    • 発表場所
      Sapporo, Japan(8D-9-2)
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [学会発表] DLTS法によるECRプラズマ法GeNx/Geの界面近傍トラップに対する熱処理効果の評価II2013

    • 著者名/発表者名
      成田英史,岩崎拓郎,福田幸夫,王谷洋平,小野俊郎,岡本浩
    • 学会等名
      第74 回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] DLTS Characterization of In(Ga)As-quantum DotsFabricated using Bi as a Surfactant2013

    • 著者名/発表者名
      H. Okamoto, S. Suzuki, H. Narita, T. Tawara, K. Tateno, and H.Gotoh
    • 学会等名
      26th Int. Microprocesses and Nanotechnology Conf. (MNC 2013)
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] ECRプラズマ法によって作製したGe-MIS構造における界面近傍トラップのDLTS評価2012

    • 著者名/発表者名
      岡本浩, 成田英史, 佐藤真哉, 岩崎拓郎, 小野俊郎, 王谷洋平, 福田幸夫
    • 学会等名
      平成24年電気学会電子・情報・システム部門大会
    • 発表場所
      弘前大学(講演論文集、MC6-8, pp,1276-1279)
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [学会発表] DLTS法によるECRプラズマ法GeNx/Geの界面近傍トラップに対する熱処理効果の評価2012

    • 著者名/発表者名
      成田英史, 佐藤真哉, 岩崎拓郎, 小野俊郎, 王谷洋平, 福田幸夫,岡本浩
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学(11a-PB1-6)
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [学会発表] In(Ga)As積層量子ドット構造におけるキャリア注入/放出特性のDLTS評価2011

    • 著者名/発表者名
      鈴木聡一郎, 佐藤真哉, 岩崎拓郎, 俵毅彦, 舘野功太, 後藤秀樹, 寒川哲臣, 岡本浩
    • 学会等名
      電子情報通信学会技術研究報告
    • 発表場所
      弘前大学(vol.111, no.176, CPM2011-57, pp. 7-10)
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [学会発表] In(Ga)As積層量子ドット構造のDLTS評価2011

    • 著者名/発表者名
      鈴木聡一郎, 佐藤真哉, 岩崎拓郎, 俵毅彦, 舘野功太, 後藤秀樹,寒川哲臣,岡本浩
    • 学会等名
      平成23年度電気関係学会東北支部連合大会
    • 発表場所
      東北学院大学(講演論文集2F19,p. 230)
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [学会発表] In(Ga)As積層量子ドット構造におけるキャリア注入/放出特性のDLTS評価2011

    • 著者名/発表者名
      鈴木聡一郎、佐藤真哉、岩崎拓郎、俵毅彦、舘野功太、後藤秀樹、寒川哲臣、岡本浩
    • 学会等名
      電子情報通信学会技術研究報告
    • 発表場所
      弘前大学
    • 関連する報告書
      2011 実施状況報告書
  • [学会発表] In(Ga)As積層量子ドット構造のDLTS評価2011

    • 著者名/発表者名
      鈴木聡一郎,佐藤真哉,岩崎拓郎,俵毅彦,舘野功太,後藤秀樹,寒川哲臣,岡本 浩
    • 学会等名
      平成23年度電気関係学会東北支部連合大会
    • 発表場所
      東北学院大学
    • 関連する報告書
      2011 実施状況報告書
  • [学会発表] ECRプラズマ法によって作製したGe-MIS構造における界面近傍トラップのDLTS評価

    • 著者名/発表者名
      岡本浩, 成田英史, 佐藤真哉, 岩崎拓郎, 小野俊郎, 王谷洋平, 福田幸夫
    • 学会等名
      平成24年電気学会電子・情報・システム部門大会
    • 発表場所
      弘前大学
    • 関連する報告書
      2012 実施状況報告書
  • [学会発表] DLTS 法によるECR プラズマ法GeNx/Ge の界面近傍トラップに対する熱処理効果の評価

    • 著者名/発表者名
      成田英史,佐藤真哉,岩崎拓郎,小野俊郎,王谷洋平,福田幸夫,岡本浩
    • 学会等名
      第73 回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学
    • 関連する報告書
      2012 実施状況報告書
  • [学会発表] Biサーファクタントを用いたIn(Ga)As量子ドットのDLTS評価

    • 著者名/発表者名
      鈴木聡一郎,岡本浩,舘野功太,俵毅彦,後藤秀樹,寒川哲臣
    • 学会等名
      第60回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 関連する報告書
      2012 実施状況報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.eit.hirosaki-u.ac.jp/~okamoto/home/

    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書

URL: 

公開日: 2011-08-05   更新日: 2019-07-29  

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