研究課題/領域番号 |
23560354
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子・電気材料工学
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研究機関 | 弘前大学 |
研究代表者 |
岡本 浩 弘前大学, 理工学研究科, 教授 (00513342)
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連携研究者 |
俵 毅彦 NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主任研究員 (40393798)
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研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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配分額 *注記 |
3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
2013年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2012年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2011年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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キーワード | 量子ドット / サーファクタント / DLTS / DLTS法 |
研究概要 |
量子ドットは各種半導体デバイスの性能を画期的に向上させる可能性がある。これまでに研究代表者らは独自開発技術であるBiサーファクタント成長により、優れた光学特性を有するIn(Ga)As量子ドットが得られることを報告してきた。本研究ではこれらの特性が得られるメカニズムの解明に向け、DLTS法(Deep Level Transient Spectroscopy)を主体とした評価を行った。その結果、量子ドット特有の捕獲キャリアの放出による信号の観察に成功するとともに、上記量子ドット試料中には点欠陥や転位等に起因するトラップが非常に少ないことが確認できた。
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