| 研究課題/領域番号 |
23560359
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
電子・電気材料工学
|
|---|
| 研究機関 | 東京大学 |
|---|
研究代表者 |
吉田 正裕 東京大学, 物性研究所, 研究員 (30292759)
|
|---|
| 研究協力者 |
秋山 英文 東京大学, 物性研究所, 准教授 (40251491)
金 昌秀 東京大学, 物性研究所, 研究員
ローレン ファイファー Princeton University, Electrical Engineering, Senior Research Scholar
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
|
| 配分額 *注記 |
5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2013年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2012年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2011年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
|
|---|
| キーワード | 結晶工学 / 表面・界面物性 / 半導体材料 / GaAs(110)面 / 原子平坦表面 / 量子井戸 / 量子細線 |
|---|
| 研究概要 |
本研究では、成長中断アニール法を用いた原子平坦GaAs(110)表面の形成とその物理メカニズム解明を試みた。へき開GaAs(110)面に結晶成長し、その表面で成長中断アニールを行ったところ、特徴的な形状の原子ステップエッジをもつ原子平坦表面が形成された。その形状は導入する膜厚分布の結晶方位に強く依存しており、平坦化にはGaAs(110)表面での表面原子マイグレーションポテンシャルの異方性が大きく関与していることを示唆している。
また、成長中断アニール法により形成された原子平坦ヘテロ界面を有するGaAs(110)量子井戸の光学特性（発光、吸収）を定量計測するための導波路透過吸収計測系を構築した。
|
