研究課題
基盤研究(C)
対向ターゲット式スパッタ装置を用いて,H2S反応性ガス中でのCuとInの交互堆積によりCu-In-S系薄膜を作製した。組成は交互堆積時間比の変化に対応して(CuxS)-(CuInS2)系で変化し,化学量論組成付近でCuInS2の基礎吸収端を有する多結晶CuInS2薄膜が得られた。太陽電池セル応用を意図して,ZnO:Al/ZnO/ZnS/CuInS2/Mo/glass積層構造等を作製した。
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Japanese Journal of Applied Physics
巻: Vol.50
Technical Digest of the 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference
巻: Vol.21
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
巻: 50 号: 5S2 ページ: 05FB03-05FB03
10.1143/jjap.50.05fb03
巻: 21