| 研究課題/領域番号 |
23560372
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 日本大学 |
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研究代表者 |
池田 正則 日本大学, 工学部, 教授 (10222902)
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| 研究分担者 |
清水 博文 日本大学, 工学部, 教授 (10318371)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2013年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2012年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2011年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | 表面光電圧 / 多結晶シリコン薄膜 / 薄膜トランジスタ / 結晶性評価 / 多結晶Si薄膜 / TFT |
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| 研究概要 |
交流表面光電圧法による非接触・非破壊での多結晶シリコン薄膜の結晶性評価装置の開発を行った。発光ダイオードからレーザダイオードへの励起光源の変更により，多結晶シリコン薄膜から得られる表面光電圧の高感度化を達成した。エキシマレーザアニールにより多結晶化された膜厚約50nmのシリコン薄膜では，約1mV/nmの分解能を示した。また，測定において励起光の高パワー化によるAC SPV の飽和という問題点があることを明らかにした。
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