| 研究課題/領域番号 |
23560374
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京工芸大学 |
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研究代表者 |
星 陽一 東京工芸大学, 工学部, 教授 (20108228)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2013年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2012年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2011年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | 有機EL素子 / スパッタ成膜 / 低ダメージスパッタ / 電極膜 / 仕事関数 / 対向ターゲット式スパッタ / プラズマダメージ / 網電極 / 上部電極膜 / 高エネルギー粒子 / 斜め入射堆積 / 網マスク / メッシュ電極 / 酸化モリブデン / スパッタ堆積 / キャリア注入特性 / 2次電子 |
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| 研究概要 |
有機EL素子は次世代のディスプレーや照明素子として期待されているが、上部電極膜の作製にスパッタ法を用いると、動作電圧の上昇や発光が困難となる問題があった。本研究では、この問題を解決するため対向ターゲット式低ダメージスパッタ法を用いる方法を提案し、その有効性を示すとともに、さらなる特性改善方法を検討した。その結果、対向ターゲット式低ダメージスパッタ法を用いた場合にも、スパッタ時にターゲット端から放出される2次電子の基板衝撃をより完全に抑制する必要があることや、スパッタ時の放電電流およびスパッタガス圧を最適化することで、動作特性の顕著な改善ができることを明らかにすることができた。
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