| 研究課題/領域番号 |
23560377
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 岐阜工業高等専門学校 (2011, 2013-2014)
豊田工業高等専門学校 (2012) |
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研究代表者 |
羽渕 仁恵 岐阜工業高等専門学校, その他部局等, 准教授 (90270264)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-28 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2014年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2013年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2012年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2011年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
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| キーワード | シリコンクラスレート / イオン注入 / 熱電変換材料 / 薄膜 |
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| 研究成果の概要 |
金属フリーシリコンクラスレートを合成する方法として、希ガスSi化合物を合成し、それを加熱することによりクラスレート化させる実験を行なった。最初に用いた合成法は，希ガスSi化合物の合成にはSiを希ガスプラズマで叩いて成膜するスパッタ法である。しかし、希ガスの含有率が少ないこと酸素が不純物として含まれたため、次にイオン注入法を用いて結晶SiウエハにXeイオンを打込むことでXeとSiの化合物を合成した。真空中の加熱ではXeが抜けたので、Ar雰囲気で100気圧で加熱することにより、530℃でXeの抜けを防止することに成功した。今後の希ガスをゲストとしたシリコンクラスレートの合成の基礎データが得られた。
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