| 研究課題/領域番号 |
23560380
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
電子・電気材料工学
|
|---|
| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
|---|
研究代表者 |
色川 芳宏 独立行政法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット, 主任研究員 (90394832)
|
|---|
| 連携研究者 |
中野 由崇 中部大学, 総合工学研究所 (60394722)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2011-04-28 – 2015-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
|
| 配分額 *注記 |
5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円)
2013年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2012年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2011年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
|
|---|
| キーワード | 水素 / 窒化物半導体 / 界面 / 窒化アルミニウム |
|---|
| 研究成果の概要 |
半導体素子と水素との相互作用によって、素子特性が変化することは古くから知られているが、その相互作用機構については謎が多い。「金属－半導体界面において水素がダイポールを形成する結果、デバイスの電気的特性が変化する」というモデルが提案されているが、このモデルでは説明できない実験結果も、報告されており、水素センサー等のアプリケーション特性を向上させるためには、この相互作用機構を解明することが必須である。今回の研究によって、デバイスの金属－半導体界面に原子状の水素が存在し、界面に存在する絶縁膜と何らかの相互作用をすることでバンドダイヤグラムに変化が生じる結果、デバイス特性が変化することを示した。
|
